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中科院物理研究所硕士生导师介绍:杜小龙_跨考网

来源:跨考2008-02-23

  简历:男,1966年10月生,现为中国科学院物理所研究员、博士生导师,清洁能源中心副主任;1992年7月北京师范大学物理系毕业,获硕士学位;1999年2月北京理工大学材料中心毕业获博士学位;1999年9月至2002年7月在日本国立千叶大学光电子技术研究中心从事博士后研究工作,因独创性的氧化锌单晶薄膜制备工艺而荣获2001年度千叶大学Nanohana科研成果奖。主要研究课题为宽禁带半导体ZnO基、GaN基单晶薄膜的制备及其光电子器件的研制。

  主要研究方向:

  1、高质量ZnO外延生长的表面/界面工程;探索无极性Si(111)、蓝宝石(0001)衬底上制备高质量单极性ZnO薄膜的优化工艺。

  2、ZnO p型掺杂的自补偿机理研究,开发具有高p型电导的p型掺杂工艺。

  3、ZnO单晶薄膜材料的能带工程,揭示在非平衡生长条件下三元、四元合金薄膜的组分、晶相、带隙之间的关系,获得三元、四元单晶薄膜的带隙调节技术。

  4、ZnO极性表面的电子、原子结构及其对金属/ZnO、导电氧化物薄膜/ZnO界面结构以及接触特性的影响,开发良好欧姆接触和稳定肖特基接触的制备工艺。

  5、ZnO基量子点、量子阱结构的制备与物性研究。

  6、ZnO基紫外探测器、发光二极管、量子点共振隧穿二极管等光电子器件的研制及物性研究。

  过去的主要工作及获得的成果:ZnO是第三代半导体的核心基础材料,因其非常优越的光电性能及其在光电子器件中的巨大应用价值而被誉为“二十一世纪半导体”;2002年回国后带领ZnO团队创建了ZnO半导体实验室,成功地利用等离子体辅助分子束外延技术开展了ZnO基光电子材料与器件的研究工作。在ZnO外延膜的极性选择机理、极性表征以及表面再构等方面的研究获得一系列进展,发展了多种独创的表面/界面工程工艺,在多种衬底上制备出极性可控的氧化锌单晶薄膜,特别是在无极性衬底硅与蓝宝石上制备得到高质量单极性薄膜。在p型掺杂这一关键问题的研究上,首创“Li+Al+N”三元共掺法,得到了高浓度p型薄膜,并在氧化锌LED的研制中获得重大进展,室温下观察到了电致发光现象;研究了极性表面对金属/氧化锌接触特性的影响,获得了良好的肖特基接触制备工艺,并在高性能氧化锌紫外探测器研制中获得进展,为ZnO最后走向应用以及发展中国的ZnO光电子器件奠定了良好的基础。最近三年来,申请氧化锌相关专利14项,其中国际专利二项,发表ZnO相关SCI论文22篇(其中APL五篇),作国际、国内邀请报告8次。现为Appl. Phys. Lett.,Solid State Communication,Chin. Phys. Lett.,《物理学报》,《半导体学报》等学术期刊审稿人。

  目前的研究课题及展望:在氧化锌材料与器件物理研究上,作为项目负责人目前承担国家自然科学基金重点项目一项、面上项目二项,国家其他重点项目一项、重点项目子课题一项,中科院重要方向性项目子课题一项。作为学术骨干参加973项目一项。另有两个国家项目已顺利结题。ZnO项目组的主要任务是开发具有自主知识产权的氧化锌基光电子核心技术体系,从而大力推动我国在该领域的自主创新研究以及相关光电子产业的发展。

  培养研究生情况:目前在读硕博连读生2名。协助指导博士生8名(其中1名已毕业)、博士后一名(已出站)。拟每年招收硕博连读生2~4名。

  联系电话:010-82649035

  E-mail:xldu@aphy.iphy.ac.cn

  传真:010-82649228

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